中国三大存储芯片企业预计下半年试产.DG

中兴被美国切断核心部件、软件和技术供应一事，引发社会对中国芯片行业的热切关注。

产业研究分析机构集邦科技(TrendForce)4月19日指出，中国存储芯片产业目前以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于移动存储芯片的合肥长鑫以及致力于普通存储芯片的晋华集成三大企业为主。以目前三家厂商的进度来看，试产时间预计将在2018年下半年，量产时间可能都在2019年上半年，这预示着2019年将成为中国存储芯片生产元年。

集邦科技旗下的存储芯片研究机构DRAMeXchange表示，从这三大企业目前布局进度来看，合肥长鑫的厂房已于去年6月封顶完工，去年第三季开始搬入测试用机台。合肥长鑫目前进度与晋华集成大致相同，计划将在今年第三季试产，量产则暂定在2019年上半年，进程比预期延后。此外，由于合肥长鑫直接进攻三大DRAM厂(三星、SK海力士和美光)最重要产品之一的LPDDR4 8Gb，后续面临专利争议的可能性较高，为避免这一状况，除了积极积累专利之外，初期可能将锁定在中国市场销售。

反观专注于普通存储芯片的晋华集成，在2016年7月宣布在福建省晋江市建设12英寸晶元厂，投资金额约5 亿美元，以目前进度来看，其普通存储芯片的试产延后至今年第三季度，计划在明年上半年量产。

此外，从中国厂商NAND Flash的发展进程来看，2016年12月底，由长江存储主导的国家存储器基地正式动工，计划分三个阶段，共建三座 D-NAND Flash厂房。第一阶段的厂房已去年9月完成建设，预计2018年第三季度开始搬入机台，第四季进行试产，初期投片量不超过1万片，用于生产 2层 D-NAND Flash产品，并预计在自家的64层技术成熟后，再视情况拟定第二、第三期的生产计划。

DRAMeXchange指出，观察中国存储芯片厂商的研发与产出计划，2019年将是中国存储芯片产业的生产元年，但也由于两家DRAM厂预估初期量产规模并不大，短期难以撼动全球市场现有格局。无论是DRAM还是NAND产品，各家都是初试啼声，相比耕耘多年的存储芯片大厂面临更多挑战，因此也不排除中国存储芯片厂量产时间比预期延后的可能性。

7月份即将启幕北京三里屯太古里（专题阅读）店。长期来看，随着中国存储芯片产品逐步成熟，预计年两家DRAM厂商现有工厂将逐步满产，在最乐观的预估下，届时两家合计约有每月25万片的投片规模，可能将开始影响全球DRAM市场的供给。另一方面，长江存储计划设有三座厂房，总产能可能高达每月 0万片，不排除长江存储完成64层产品开发后，可能将进行大规模的投产，进而在未来三到五年对NAND Flash的供给产生重大影响。